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Silicon Heterostructure Handbook (Cressler, John D. (Hrsg.) / Monfray, Stephane (Beitr.) / Freeman, Greg (Beitr.) / Friedman, Daniel (Beitr.) / Paul, Douglas J. (Beitr.) / Tsujino, Soichiro (Beitr.) / Cai, J. (Beitr.) / Chantre, Alain (Beitr.) / Colace, Lorenzo (Beitr.) / de Vreede, Leo N. C. (Beitr.) / El-Kareh, B. (Beitr.) / Dutartre, Didier (Beitr.) / Larson, Lawrence E. (Beitr.) / Maiti, C.K (Beitr.) / Meister, T. (Beitr.) / Ni, W. (Beitr.) / Oehme, Michael (Beitr.) / Peaker, A. (Beitr.) / Sheridan, David (Beitr.) / Tillack, Bernd (Beitr.) / Laskar, Joy (Beitr.) / Skotnicki, Thomas (Beitr.) / Borel, Stephan (Beitr.) / Luy, Johann-Friedrih (Beitr.) / Rim, Ken (Beitr.) / Meyerson, Bernard (Beitr.) / Greenberg, David R. (Beitr.) / Schroter, Michael (Beitr.) / Joseph, Alvin (Beitr.) / Dunn, James S. (Beitr.) / Fitzgerald, Eugene (Beitr.) / Meghelli, Mounir (Beitr.) / Grutzmacher, Detlev (Beitr.) / Adam, Thomas N. (Beitr.) / Assanto, Gaetano (Beitr.) / Balster, S. (Beitr.) / Banerjee, Sanjay (Beitr.) / Belot, Didier (Beitr.) / Bock, J. (Beitr.) / Burghartz, J. N. (Beitr.) / Chakraborty, Sudipto (Beitr.) / Colclaser, Roy A. (Beitr.) / Deleglise, F. (Beitr.) / Deixler, Peter (Beitr.) / Elfving, Anders (Beitr.) / Fellous, C. (Beitr.) / Gennser, Ulf (Beitr.) / Fischer, A. (Beitr.) / Groves, Robert (Beitr.) / Harame, David (Beitr.) / Hoyt, Judy L. (Beitr.) / Hull, Robert (Beitr.) / Johnson, Jeffrey B. (Beitr.) / Kasper, Erich (Beitr.) / Kempf, Paul (Beitr.) / Kim, H. J. (Beitr.) / Knoll, Dieter (Beitr.) / Krishnasamy, Rajendran (Beitr.) / Li, RongLin (Beitr.) / Liang, Qingqing (Beitr.) / Lim, Kyutae (Beitr.) / Long, John R. (Beitr.) / Malladi, R. (Beitr.) / Masini, Gianlorenzo (Beitr.) / Mijalkovic, Slobodan (Beitr.) / Niu, G. (Beitr.) / Osten, J. (Beitr.) / Papapolymerou, John Ioannis (Beitr.) / Pinel, Stephane (Beitr.) / Rieh, Jae-Sung (Beitr.) / Rubaldo, L. (Beitr.) / Schumacher, Hermann (Beitr.) / Singh, Raminderpal (Beitr.) / Strang, S. (Beitr.) / Talbot, A. (Beitr.) / Tentzeris, M. (Beitr.) / Thompson, Scott E. (Beitr.) / Tong, S. (Beitr.) / Tretiakov, Youri V. (Beitr.) / van der Heijden, Mark P. (Beitr.) / Baudry, H. (Beitr.) / Martinet, B. (Beitr.) / Marty, M. (Beitr.) / Monroy, A. (Beitr.) / Mourier, J. (Beitr.) / Steinmann, P. (Beitr.) / Szelag, B. (Beitr.) / Troillard, G. (Beitr.) / Wang, K. (Beitr.) / Washio, Katsuyoshi (Beitr.) / Yasuda, H. (Beitr.) / Zaumseil, Peter (Beitr.) / Laurens, M. (Beitr.) / Chevalier, P. (Beitr.))
Silicon Heterostructure Handbook
Untertitel Materials, Fabrication, Devices, Circuits and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy
Autor Cressler, John D. (Hrsg.) / Monfray, Stephane (Beitr.) / Freeman, Greg (Beitr.) / Friedman, Daniel (Beitr.) / Paul, Douglas J. (Beitr.) / Tsujino, Soichiro (Beitr.) / Cai, J. (Beitr.) / Chantre, Alain (Beitr.) / Colace, Lorenzo (Beitr.) / de Vreede, Leo N. C. (Beitr.) / El-Kareh, B. (Beitr.) / Dutartre, Didier (Beitr.) / Larson, Lawrence E. (Beitr.) / Maiti, C.K (Beitr.) / Meister, T. (Beitr.) / Ni, W. (Beitr.) / Oehme, Michael (Beitr.) / Peaker, A. (Beitr.) / Sheridan, David (Beitr.) / Tillack, Bernd (Beitr.) / Laskar, Joy (Beitr.) / Skotnicki, Thomas (Beitr.) / Borel, Stephan (Beitr.) / Luy, Johann-Friedrih (Beitr.) / Rim, Ken (Beitr.) / Meyerson, Bernard (Beitr.) / Greenberg, David R. (Beitr.) / Schroter, Michael (Beitr.) / Joseph, Alvin (Beitr.) / Dunn, James S. (Beitr.) / Fitzgerald, Eugene (Beitr.) / Meghelli, Mounir (Beitr.) / Grutzmacher, Detlev (Beitr.) / Adam, Thomas N. (Beitr.) / Assanto, Gaetano (Beitr.) / Balster, S. (Beitr.) / Banerjee, Sanjay (Beitr.) / Belot, Didier (Beitr.) / Bock, J. (Beitr.) / Burghartz, J. N. (Beitr.) / Chakraborty, Sudipto (Beitr.) / Colclaser, Roy A. (Beitr.) / Deleglise, F. (Beitr.) / Deixler, Peter (Beitr.) / Elfving, Anders (Beitr.) / Fellous, C. (Beitr.) / Gennser, Ulf (Beitr.) / Fischer, A. (Beitr.) / Groves, Robert (Beitr.) / Harame, David (Beitr.) / Hoyt, Judy L. (Beitr.) / Hull, Robert (Beitr.) / Johnson, Jeffrey B. (Beitr.) / Kasper, Erich (Beitr.) / Kempf, Paul (Beitr.) / Kim, H. J. (Beitr.) / Knoll, Dieter (Beitr.) / Krishnasamy, Rajendran (Beitr.) / Li, RongLin (Beitr.) / Liang, Qingqing (Beitr.) / Lim, Kyutae (Beitr.) / Long, John R. (Beitr.) / Malladi, R. (Beitr.) / Masini, Gianlorenzo (Beitr.) / Mijalkovic, Slobodan (Beitr.) / Niu, G. (Beitr.) / Osten, J. (Beitr.) / Papapolymerou, John Ioannis (Beitr.) / Pinel, Stephane (Beitr.) / Rieh, Jae-Sung (Beitr.) / Rubaldo, L. (Beitr.) / Schumacher, Hermann (Beitr.) / Singh, Raminderpal (Beitr.) / Strang, S. (Beitr.) / Talbot, A. (Beitr.) / Tentzeris, M. (Beitr.) / Thompson, Scott E. (Beitr.) / Tong, S. (Beitr.) / Tretiakov, Youri V. (Beitr.) / van der Heijden, Mark P. (Beitr.) / Baudry, H. (Beitr.) / Martinet, B. (Beitr.) / Marty, M. (Beitr.) / Monroy, A. (Beitr.) / Mourier, J. (Beitr.) / Steinmann, P. (Beitr.) / Szelag, B. (Beitr.) / Troillard, G. (Beitr.) / Wang, K. (Beitr.) / Washio, Katsuyoshi (Beitr.) / Yasuda, H. (Beitr.) / Zaumseil, Peter (Beitr.) / Laurens, M. (Beitr.) / Chevalier, P. (Beitr.)
Verlag Taylor and Francis
Co-Verlag CRC Press (Imprint/Brand)
Sprache Englisch
Einband Fester Einband
Erscheinungsjahr 2005
Seiten 1248 S.
Artikelnummer 23307960
ISBN 978-0-8493-3559-4
CHF 345.00
Nicht (mehr) im Sortiment/Besorgung möglich
Zusammenfassung
Presenting various aspects of Si-based heterostructures, this book covers topics ranging from materials fabrication to devices, CAD, circuits, and applications. Containing nearly 1000 figures along with appendices, it surveys materials, fabrication, device physics, transistor optimization, optoelectronics components, and compact modeling.

Bringing the many aspects of Si-based heterostructures into one convenient resource, this book presents a comprehensive perspective of the field. It covers topics ranging from materials fabrication to devices, CAD, circuits, and applications. Each chapter is written by a leading international expert, ensuring adequate depth of coverage, up-to-date research results, and a comprehensive list of seminal references. A novel aspect of this handbook is that it contains "snap-shot" views of industrial state-of-the-art for devices and circuits and is designed to provide the reader with a useful basis of comparison for the current status and future course of the global Si heterostructure industry.